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NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 31.27 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVHL015N065SC1

Fabr. N.º:

NVHL015N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L

Hoja de datos:

NVHL015N065SC1 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	163 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	283 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	643 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	44 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	77 ns
Serie:	NVHL015N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	47 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns

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Hoja de datos

NVHL015N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET employs new technology that provides superior switching performance and high reliability. This SiC MOSFET features n-channel, high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The NVHL015N065SC1 MOSFET offers low ON resistance and compact chip size, which ensures low capacitance and gate charge. This EliteSiC MOSFET is 100% UIL tested and AEC−Q101 qualified. The NVHL015N065SC1 MOSFET features 650V drain−to−source voltage and 12mohm resistance. Typical applications include automotive traction inverters, DC/DC converters for EV/HEV, and onboard chargers.