HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
Más información

Resultados: 33
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
30En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
70En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Hoja de datos
748Fecha prevista: 16/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM FET de GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C