MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo RDS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el RDS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i
Hoja de datos
856En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Hoja de datos
1.490Fecha prevista: 04/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 06/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET LGS LV MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel