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STP220N6F7

Name: STMicroelectronics STP220N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP220N6F7
Price: 2.68 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STP220N6F7

Fabr. N.º:

STP220N6F7

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,68 €	2,68 €
	1,33 €	13,30 €
	1,20 €	120,00 €
	0,972 €	486,00 €
	0,894 €	894,00 €
	0,869 €	1.738,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	100 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	237 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	29 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	103 ns
Serie:	STP220N6F7
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	54 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	33 ns
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

STP220N6F7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo R_DS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el R_DS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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