IGBT – Mouser España

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650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

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Resultados: 28

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Tecnología

Empaquetado / Estuche

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Configuración

Voltaje colector-emisor VCEO máx.

Voltaje de saturación colector-emisor

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Corriente continua del colector a 25 C

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