MOSFET de potencia C7 Gold (G7) CoolMOS™

Los MOSFET de potencia C7 Gold (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies™ están alojados en el nuevo paquete TO sin terminales (TOLL) con el concepto de origen Kelvin Los MOSFET G7 combinan tecnología CoolMOS™ de 600 V y 650 V mejorada, capacidad de origen Kelvin de 4 clavijas y la mejora de las propiedades térmicas del paquete TO sin terminales. Esto permite una solución SMD para topologías de alta corriente de conmutación complicada como corrección del factor de potencia (PFC) hasta 3 kW. En el caso de los G7 de 600 V CoolMOS™™ los MOSFET se pueden utilizar para circuitos de resonancia como LLC de gama alta.

Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.354En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.005En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Hoja de datos
1.783En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.483En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.682En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.804En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Hoja de datos
2.122En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3.979En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape