Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado

onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 40A 125En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.45 V 135 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSH40120ADN Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V 1.316En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 49 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP0865A Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V 757En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 56 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1065A Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 16A SIC SBD 263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1665A Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A 760En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.45 V 68 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP08120A Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V 764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP2065A Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V SiC SBD 30A 132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 650 V 1.5 V 150 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP3065A Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide Schottky Diode No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Single 10 A 1.2 kV 1.45 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSD10120A Reel