Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO220-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO252-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Through Hole TO-252-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 74 A 41 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO263-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Through Hole TO 263-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO220N-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A, TO220-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 12 A 650 V 1.3 V 108 A 36 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A, DFN8*8-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

SMD/SMT DFN-8*8-4 Single 12 A 650 V 1.3 V 108 A 36 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A, TO247-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.35 V 140 A 40 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A, TO3PF-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-3PF-3L Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.3 V 135 A 48 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.35 V 140 A 40 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.35 V 337 A 120 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 2A, TO220-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L Single 2 A 1.2 kV 1.35 V 28 A 8 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 5A, TO220-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 5 A 1.2 kV 1.35 V 55 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 5A, TO252-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Through Hole TO-252-2L Single 5 A 1.2 kV 1.35 V 55 A 20 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 10A, TO220-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 10 A 1.2 kV 1.35 V 103 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 10A, TO263-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Through Hole TO 263-2L Single 10 A 1.2 kV 1.35 V 103 A 30 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.35 V 103 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 27A, TO247-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 27 A 1.2 kV 1.4 V 200 A 80 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.35 V 140 A 45 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.4 V 356 A 96 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 50A, TO247-2L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.35 V 504 A 120 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 60A, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 60 A 1.2 kV 1.3 V 291 A 72 uA - 55 C + 175 C Tube