SDS065J050H3-ISATH

Sanan Semiconductor
896-SDS065J050H3ISAT
SDS065J050H3-ISATH

Fabr.:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 30
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-,-- €
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,57 € 1.671,00 €
5,30 € 2.703,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Sanan Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
650 V
1.35 V
337 A
120 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: Sanan Semiconductor
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.

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