650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Resultados: 29
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1.222En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
776En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
1.285En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3.421En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
798En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 650V
Hoja de datos
1.374En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
1.595En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
430En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1.802En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
569En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
418En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
773En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
720En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
410En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
396En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
23En existencias
4.050Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
30En existencias
3.150Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
312En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
449En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
8En existencias
900Fecha prevista: 26/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
189En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC