650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Resultados: 29
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1.292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
430En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
1.263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
569En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3.923En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1.824En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
776En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
1.595En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
428En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
828En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
3.720En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
399En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 6
Hoja de datos
796En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 6
Hoja de datos
700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
432En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 32MOHM 6
Hoja de datos
890En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
722En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
411En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
334En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
118En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
395En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
874En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
384En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-4 EliteSiC