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NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 9.83 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBG023N065M3S

Fabr. N.º:

NTBG023N065M3S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	33 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	69 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	NTBG023N065M3S
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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NTBG023N065M3S Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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