SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 48
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V/4A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole ITO-220AC -2 Single 4 A 650 V 1.5 V 360 A 2.5 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole ITO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
941En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 650 V 1.3 V 320 A 1.6 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC -2 Single 6 A 650 V 1.3 V 392 A 600 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 320 A 1.6 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.995En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.797En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT TO-252AA-3 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 6 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
124En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 5 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
Bobina: 800

Reel
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
Bobina: 800

Reel
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V/8A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole ITO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 480 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V/10A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole ITO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 560 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 35 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 392 A - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 35 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 904 A 2.9 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 35 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 1 kA 2.1 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 35 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube