PCDD08120G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD08120G1L2001
PCDD08120G1_L2_00001

Fabr.:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.797

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
4,97 € 4,97 €
3,33 € 33,30 €
3,24 € 324,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
3,24 € 9.720,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
8 A
1.2 kV
1.5 V
560 A
6 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Panjit
Pd (disipación de potencia): 156.3 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso unitario: 321,700 mg
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.