OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs are N-channel, normal level 80V (ISC016N08NM8 and ISC016N08NM8SC) or 100V (ISC019N10NM8SC) MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)]. The ISC016N08NM8SC and ISC019N10NM8SC are available in dual-sided cooled packages (WSON-8) while the ISC016N08NM8 comes in a standard TDSON-8 package. Each package offers superior thermal resistance and is 100% avalanche tested. Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs feature a soft-recovery diode and are lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.

Resultados: 9
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
Hoja de datos
220En existencias
5.000Fecha prevista: 10/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.33 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 59 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
Hoja de datos
700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 176 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Hoja de datos
350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
Hoja de datos
497En existencias
5.000Fecha prevista: 31/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
Hoja de datos
1En existencias
4.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 484 A 0.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
15.400Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Hoja de datos
1.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 408 A 0.94 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
4.000Fecha prevista: 22/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Hoja de datos
942Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape