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ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 6.22 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-ISC016N08NM8SCAT

Fabr. N.º:

ISC016N08NM8SCATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

ISC016N08NM8SCATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 4.000

Fecha prevista: 22/10/2026
Plazo de producción de fábrica:: 52

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,22 €	6,22 €
	4,14 €	41,40 €
	3,35 €	335,00 €
	2,98 €	1.490,00 €
	2,63 €	2.630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 4000)
	2,62 €	10.480,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-WSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	269 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.54 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	76 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	7.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.1 ns
Serie:	OptiMOS 8
Cantidad del paquete de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Alias de parte #:	ISC016N08NM8SC SP006195339

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs are N-channel, normal level 80V (ISC016N08NM8 and ISC016N08NM8SC) or 100V (ISC019N10NM8SC) MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)]. The ISC016N08NM8SC and ISC019N10NM8SC are available in dual-sided cooled packages (WSON-8) while the ISC016N08NM8 comes in a standard TDSON-8 package. Each package offers superior thermal resistance and is 100% avalanche tested. Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs feature a soft-recovery diode and are lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.