RGE Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGE Field Stop Trench IGBTs feature low collector-emitter saturation voltage, low switching loss, and a short circuit withstand time of 5μs. The  ROHM Semiconductor RGE IGBTs ensure reliable operation under high-stress conditions. The built-in fast and soft recovery FRD enhances efficiency, while Pb-free lead plating ensures RoHS compliance. Perfect for general inverters, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, power conditioners, and welders, the RGE series provides a robust solution for modern power management needs.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
570En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 74 A 230 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
590En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 51 A 166 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 63 A 200 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 102 A 306 W - 40 C + 175 C Tube