RGEX5TS65DGC13

ROHM Semiconductor
755-RGEX5TS65DGC13
RGEX5TS65DGC13

Fabr.:

Descripción:
IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

Ciclo de vida:
Descatalogado:
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Modelo ECAD:
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En existencias: 590

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 590 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
8,23 € 8,23 €
4,88 € 48,80 €
4,31 € 431,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247GE-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
30 V
102 A
306 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Corriente continua del colector Ic Máx.: 75 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 nA
Tipo de producto: IGBTs
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

RGE Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGE Field Stop Trench IGBTs feature low collector-emitter saturation voltage, low switching loss, and a short circuit withstand time of 5μs. The  ROHM Semiconductor RGE IGBTs ensure reliable operation under high-stress conditions. The built-in fast and soft recovery FRD enhances efficiency, while Pb-free lead plating ensures RoHS compliance. Perfect for general inverters, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, power conditioners, and welders, the RGE series provides a robust solution for modern power management needs.