MOSFET de alta tensión SuperMESH™

Los MOSFET de alimentación SuperMESH™ con protección Zener de STMicroelectronics representan una optimización extrema de la distribución PowerMESH™ basada en tiras estándar. Los MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics hacen bajar la resistencia de encendido de forma significativa a la vez que garantizan una muy buena capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Los dispositivos SuperMESH tienen una mínima carga de compuerta y su resistencia frente a avalanchas está probada al 100%, a la vez que ofrecen una mejora de la capacidad ESD y un nueva referencia de alta tensión. Estos MOSFET de STMicroelectronics están diseñados para ser utilizados en aplicaciones de conmutación.
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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a 264En existencias
1.000Fecha prevista: 12/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 121 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte 1.219En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package 700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 595En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 333En existencias
1.000Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 930En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 4.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected 913En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 766En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 1.602En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5 366En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 248En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le 60En existencias
600Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected 410En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
911Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET 15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected 717En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 630 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 397En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 181En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 461En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 474En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel