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STF12N120K5

Name: STMicroelectronics STF12N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF12N120K5
Price: 9.8 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STF12N120K5

Fabr. N.º:

STF12N120K5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

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Pedido:: 911

Fecha prevista: 27/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 14

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
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	7,97 €	79,70 €
	6,65 €	665,00 €
	5,93 €	2.965,00 €
	5,03 €	5.030,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	620 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	44.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Serie:	STF12N120K5
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	68.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	23 ns
Peso unitario:	2 g

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STF12N120K5 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de alta tensión SuperMESH™

Los MOSFET de alimentación SuperMESH™ con protección Zener de STMicroelectronics representan una optimización extrema de la distribución PowerMESH™ basada en tiras estándar. Los MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics hacen bajar la resistencia de encendido de forma significativa a la vez que garantizan una muy buena capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Los dispositivos SuperMESH tienen una mínima carga de compuerta y su resistencia frente a avalanchas está probada al 100%, a la vez que ofrecen una mejora de la capacidad ESD y un nueva referencia de alta tensión. Estos MOSFET de STMicroelectronics están diseñados para ser utilizados en aplicaciones de conmutación.
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