Resultados: 10
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 32En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module 13En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray