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NTHL080N120SC1A

Name: onsemi NTHL080N120SC1A
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL080N120SC1A
Price: 11.1 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTHL080N120SC1A

Fabr. N.º:

NTHL080N120SC1A

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Hoja de datos:

NTHL080N120SC1A Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	110 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	56 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	178 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	13 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Serie:	NTHL080N120SC1A
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

NTHL080N120SC1A Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

NTHL080N120SC1A N-Channel SiC MOSFET

onsemi NTHL080N120SC1A N-Channel MOSFET provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. This MOSFET offers low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. onsemi NTHL080N120SC1A MOSFET features high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, boost inverters, power factor correction (PFC), photovoltaic (PV) charging, solar inverters, server power supplies, and network power supplies.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.