Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Tipos de Semiconductores
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS

onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide Schottky Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500


onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 40A AUTO SIC SBD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1