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NCP51705MNTXG

Name: onsemi NCP51705MNTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51705MNTXG
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NCP51705MNTXG

Fabr. N.º:

NCP51705MNTXG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Controlador de puerta SIC MOSFET DRIVER

Hoja de datos:

NCP51705MNTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,55 €	3,55 €
	2,73 €	27,30 €
	2,52 €	63,00 €
	2,25 €	225,00 €
	2,05 €	512,50 €
	2,00 €	1.000,00 €
	1,92 €	1.920,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,91 €	5.730,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-24
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	6 A
Tensión del suministro - Mín:	10 V
Tensión del suministro - Máx:	22 V
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Tiempo de caída:	8 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	NCP51705
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo lógico:	TTL
Tiempo de retraso de apagado máximo:	50 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	50 ns
Corriente de suministro operativa:	12 mA
Pd (disipación de potencia):	2.9 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	50 ns
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NCP51705MNTXG Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

NCP51705 Gate Driver

onsemi NCP51705 Gate Driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. This gate driver achieves the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum gate voltage to the SiC MOSFET device. The NCP51705 driver utilizes its onboard charge pump to generate a user selectable negative voltage rail. This gate driver provides an externally accessible 5V rail to power the secondary side of digital or high-speed opto-isolators. The NCP51705 driver offers protection functions such as under-voltage lockout monitoring and thermal shutdown based on the junction temperature of the driver circuit. Typical applications include driving SiC MOSFETs, industrial inverters, motor drivers, PFC, AC to DC, and DC to DC converters.