IRL Power MOSFETs

Vishay IRL Power MOSFETs offer an optimal balance of fast switching, rugged design, low on-resistance, and cost efficiency. The Vishay IRL MOSFETs are available in SOT-223 and DPAK packages. These MOSFETs support surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The SOT-223 package features an enlarged tab for improved thermal performance, enabling power dissipation exceeding 1.25W, while the DPAK package allows for power dissipation up to 1.5W in typical applications. The IRLU and SiHLU series also provide a straight-lead option for through-hole mounting.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET 90.529En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU 5.328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 30 Amp 1.186En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 2.060En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp 32.720En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU 5.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 2.937En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 5.540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 11.364En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 8A 162En existencias
3.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 5En existencias
18.000Fecha prevista: 29/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 N-CH 60V 2.7A
32.490Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
9.750Fecha prevista: 05/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
9.132Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
No
Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
No
Si Through Hole TO-251-3 Tube