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IRLR014TRPBF

Name: Vishay IRLR014TRPBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRLR014TRPBF
Price: 1.73 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

844-IRLR014TRPBF

Fabr. N.º:

IRLR014TRPBF

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR

Hoja de datos:

IRLR014TRPBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 9.132

Fecha prevista: 12/10/2026
Plazo de producción de fábrica:: 67

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,73 €	1,73 €
	1,11 €	11,10 €
	0,746 €	74,60 €
	0,593 €	296,50 €
	0,557 €	557,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,501 €	1.002,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IRLR014PBF

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,77 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	200 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	8.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3

Filtrar documento:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRL Power MOSFETs

Vishay IRL Power MOSFETs offer an optimal balance of fast switching, rugged design, low on-resistance, and cost efficiency. The Vishay IRL MOSFETs are available in SOT-223 and DPAK packages. These MOSFETs support surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The SOT-223 package features an enlarged tab for improved thermal performance, enabling power dissipation exceeding 1.25W, while the DPAK package allows for power dissipation up to 1.5W in typical applications. The IRLU and SiHLU series also provide a straight-lead option for through-hole mounting.