MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un RDS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

Resultados: 81
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.370En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 37En existencias
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 83En existencias
5.000Fecha prevista: 19/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 610 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 129 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 4.322En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 21.428En existencias
15.000Fecha prevista: 24/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 26.601En existencias
20.000Fecha prevista: 17/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.477En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 550 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.513En existencias
10.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 7.986En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 9.913En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 6.975En existencias
5.000Fecha prevista: 13/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 285 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 4.071En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000
Si SMD/SMT sTOLL-6 N-Channel 1 Channel 40 V 475 A 600 uOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 257En existencias
10.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.582En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1En existencias
2.000Fecha prevista: 01/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 80En existencias
20.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 200En existencias
15.000Fecha prevista: 20/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.259En existencias
5.000Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5En existencias
5.000Fecha prevista: 15/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 113 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
13.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 637 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 62 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
26.269Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
9.995Fecha prevista: 15/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
8.985Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape