MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un RDS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

Resultados: 107
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 10.250En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 10.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8.652En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2.746En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 490 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 130 nC - 55 C + 175 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 4.748En existencias
2.000Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 2.902En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1.605En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 3.612En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12) 1.742En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1.773En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL 1.475En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 5.358En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 6.050En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3.384En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2.645En existencias
5.000Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3.465En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 713En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 776En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 378En existencias
6.000Fecha prevista: 25/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape