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NVHL045N065SC1

Name: onsemi NVHL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL045N065SC1
Price: 15.39 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVHL045N065SC1

Fabr. N.º:

NVHL045N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Hoja de datos:

NVHL045N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	105 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	291 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Serie:	NVHL045N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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NVHL045N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVHL045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature EliteSiC technology and deliver superior switching performance. The onsemi NVHL045N065SC1 has increased reliability compared to traditional Silicon MOSFETs. The MOSFETs' low ON resistance and compact chip size result in low capacitance and gate charge, contributing to high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and a more compact system size. These MOSFETs offer advanced technology for enhanced power electronics applications.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).