TSCD 1200V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 1200V SiC Schottky Diodes are AEC-Q101 qualified, merged PIN Schottky diodes with high forward surge capability. These TSCD Schottky diodes feature high-speed switching and a positive temperature coefficient on VF. The 1200V SiC Schottky diodes operate at a 175°C maximum junction temperature. These SiC diodes are RoHS-compliant, Pb-free, and halogen-free. The 1200V SiC diodes are ideal for general-purpose, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and power factor correction.

Resultados: 24
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 100 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.38 V 148 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 180 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.4 V 216 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.42 V 300 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 2A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, SOD-128
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 28.000
Múlt.: 14.000
: 14.000

SMD/SMT SOD-128-2 Single 2 A 1.2 kV 1.37 V 464 A 4 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.38 V 56 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 15 A 1.2 kV 1.36 V 92 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.39 V 100 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.38 V 148 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.200
Múlt.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.38 V 180 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 5 A 1.2 kV 1.38 V 68 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 8 A 1.2 kV 1.38 V 92 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 104 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 15 A 1.2 kV 1.38 V 152 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 188 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT TO-252-2 Single 5 A 1.2 kV 1.38 V 59 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT TO-252-2 Single 8 A 1.2 kV 1.38 V 81 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 99 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 5 A 1.2 kV 1.38 V 76 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 1.2 kV 1.38 V 104 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 108 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.38 V 148 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 180 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube