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TSCDAH20120G2H

Name: Taiwan Semiconductor TSCDAH20120G2H
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDAH20120G2H
Price: 4.32 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

821-TSCDAH20120G2H

Fabr. N.º:

TSCDAH20120G2H

Fabr.:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC

Ciclo de vida:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,32 €	5.184,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.38 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	180 A
Ir - Corriente inversa:	30 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	TSCD
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	Taiwan Semiconductor
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	840 V
Peso unitario:	6,100 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

TSCD 1200V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 1200V SiC Schottky Diodes are AEC-Q101 qualified, merged PIN Schottky diodes with high forward surge capability. These TSCD Schottky diodes feature high-speed switching and a positive temperature coefficient on V_F. The 1200V SiC Schottky diodes operate at a 175°C maximum junction temperature. These SiC diodes are RoHS-compliant, Pb-free, and halogen-free. The 1200V SiC diodes are ideal for general-purpose, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and power factor correction.