3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 622En existencias
972Fecha prevista: 22/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 151En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT 1.649En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V 491En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 194En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 1.937En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 2.365En existencias
1.404Fecha prevista: 15/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 430En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, 257En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT 178En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile SDRAM 982En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile 32 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 2 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16200D Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) 237En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 3.411En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS 437En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V 2.788En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V 396En existencias
432Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 3En existencias
348Fecha prevista: 22/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 106En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 156En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 51En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V 38En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 85En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 105En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J