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NTH4L018N075SC1

Name: onsemi NTH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L018N075SC1
Price: 20.1 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NTH4L018N075SC1

Fabr. N.º:

NTH4L018N075SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 750V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NTH4L018N075SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 900

Fecha prevista: 27/02/2026
Plazo de producción de fábrica:: 18

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	20,10 €	20,10 €
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	13,55 €	1.355,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	99 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	18 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	262 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	500 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	NTH4L018N075SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NTH4L018N075SC1 Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L018N075SC1 N-Channel SiC MOSFET

onsemi NTH4L018N075SC1 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a low ON resistance, 750V M2 EliteSiC MOSFET available in a compact TO247-4L package. This SiC MOSFET supports high-speed switching with low capacitance (C_oss = 365pF), zero reverse recovery current of the body diode, and Kelvin source configuration. The NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET features Q_G(tot) = 262nC ultra-low gate charge, -8V/+22V gate-to-source voltage, and 500W power dissipation. Typical applications include solar inverters, EV charging stations, energy storage systems, Uninterruptible Power Supplies (UPS), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).