Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Pd (disipación de potencia) Empaquetado / Estuche Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 1400A 1700V 4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I 112En existencias
90Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 450A 1700V 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
20Fecha prevista: 28/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 10 A PIM IGBT module No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray