MOSFET de alimentación OptiMOS™ 6 de 150 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low RDS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower RDS(on), 20% lower FOMg, and 17% lower FOMgd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 1.043En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 1.500En existencias
1.000Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package 4.054En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling 1.979En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package 4.004En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package 333En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 998En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 277En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 1.235En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package 232En existencias
1.000Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 927En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
1.918Fecha prevista: 28/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape