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IPT034N15NM6ATMA1

Name: Infineon IPT034N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT034N15NM6ATMA
Price: 4.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPT034N15NM6ATMA

Fabr. N.º:

IPT034N15NM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IPT034N15NM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,65 €	4,65 €
	3,09 €	30,90 €
	2,20 €	220,00 €
	1,96 €	980,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	1,83 €	3.660,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-HSOF-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	194 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	69 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	294 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	IPT034N15NM6 SP006055099

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación OptiMOS™ 6 de 150 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un R_DS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.