600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 600 V Power Schottky Diode
Hoja de datos
680En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 600 V Power Schottky Diode
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel