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STPSC806G-TR

Name: STMicroelectronics STPSC806G-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC806G-TR
Price: 1.94 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STPSC806G-TR

Fabr. N.º:

STPSC806G-TR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	D2PAK
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	600 V
Vf - Tensión delantera:	1.7 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	30 A
Ir - Corriente inversa:	100 uA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.