OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower RDS(on) and ~25% higher FOMQg x RDS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

Resultados: 14
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.468En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.956En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.951En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4.190En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
2.495En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.951En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.465En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.457En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
4.204En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
5.000Fecha prevista: 22/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
5.000Fecha prevista: 24/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
5.000Fecha prevista: 24/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4.000Fecha prevista: 27/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape