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ISC008N06LM6ATMA1

Name: Infineon ISC008N06LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC008N06LM6ATMA
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-ISC008N06LM6ATMA

Fabr. N.º:

ISC008N06LM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

ISC008N06LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,53 €	3,53 €
	2,44 €	24,40 €
	2,08 €	208,00 €
	1,87 €	935,00 €
	1,67 €	1.670,00 €
	1,65 €	4.125,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	1,65 €	8.250,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	378 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	800 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Qg (carga de compuertas):	68 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	221 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	48.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12.5 ns
Alias de parte #:	ISC008N06LM6 SP005570789

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ISC008N06LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower R_DS(on) and ~25% higher FOM_Qg x R_DS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.