Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NVHL025N065SC1

Name: onsemi NVHL025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N065SC1
Price: 23.23 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NVHL025N065SC1

Fabr. N.º:

NVHL025N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Hoja de datos:

NVHL025N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVHL025N065SC1

En existencias: 448

Existencias:: 448 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	23,23 €	23,23 €
	17,48 €	174,80 €
	17,01 €	2.041,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	99 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	19 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	164 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	348 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	51 ns
Serie:	NVHL025N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	34 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVHL025N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NVHL025N065SC1

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NVHL025N065SC1 de onsemi son MOSFET de 25 mΩ y 650 V de EliteSiC que ofrecen un rendimiento de conmutación superior. El NVHL025N065SC1 de onsemi ofrece una mayor fiabilidad en comparación con el silicio y una resistencia de activación baja. El tamaño compacto del chip de los MOSFET garantiza una capacitancia y una carga de compuertas bajas. Entre las ventajas del sistema se incluyen una alta eficiencia, una frecuencia de funcionamiento rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida y un menor tamaño del sistema.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).