700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5 Power Transistors represent a significant advancement in power conversion technology. These gallium nitride (GaN) transistors are designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching and minimizing energy losses. The 700V CoolGaN G5 series features enhancement-mode transistors that are normally off, ensuring safe operation and high reliability. With low gate and output charge, these transistors support high power density designs and reduce system BOM costs.

Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
1.792En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
4.888En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
5.130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
1.924En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
1.908En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
1.095En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Hoja de datos
4.994Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN