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IGD70R140D2SAUMA1

Name: Infineon IGD70R140D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGD70R140D2SAUMA
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IGD70R140D2SAUMA

Fabr. N.º:

IGD70R140D2SAUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IGD70R140D2SAUMA1 Hoja de datos (PDF)

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	0,764 €	764,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,703 €	1.757,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Qg (carga de compuertas):	1.9 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	29 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	23 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Serie:	CoolGaN G5
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	10 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	IGD70R140D2S SP006085341

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5 Power Transistors represent a significant advancement in power conversion technology. These gallium nitride (GaN) transistors are designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching and minimizing energy losses. The 700V CoolGaN G5 series features enhancement-mode transistors that are normally off, ensuring safe operation and high reliability. With low gate and output charge, these transistors support high power density designs and reduce system BOM costs.