U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V
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2.989En existencias
3.000Fecha prevista: 16/02/2026
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
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624En existencias
3.000Fecha prevista: 02/03/2026
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 8 V, 6 V 300 mV 10.4 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
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413En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
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7.068En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
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8.407En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
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5.790En existencias
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Nch MOSFET
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9.961En existencias
10.000Fecha prevista: 02/03/2026
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Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
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1.260En existencias
12.000Pedido
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Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package
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3.546En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
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111En existencias
12.000Fecha prevista: 17/07/2026
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Mín.: 1
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Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm
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1.097En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 P-Channel 2 Channel 20 V 5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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3.906En existencias
9.000Fecha prevista: 29/05/2026
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Mín.: 1
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
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4.557En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
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5.885En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 5.2 Ohms - 10 V, 10 V 1.1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
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9.693En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
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3.270En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
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6.683En existencias
6.000Fecha prevista: 11/05/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 6.74 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
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1.507En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 33.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V
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1.851En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 63 mOhms 36 nC 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel


Toshiba MOSFET
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1.441En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 130 mOhms - 20 V, 10 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
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291En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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573En existencias
2.000Fecha prevista: 10/04/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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2.565En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ
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3.141En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 23 A 7.8 mOhms - 25 V, 20 V 800 mV 76 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
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1.633En existencias
5.000Fecha prevista: 01/06/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel