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SSM3J377R,LF

Name: Toshiba SSM3J377R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J377RLF
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-SSM3J377RLF

Fabr. N.º:

SSM3J377R,LF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

Hoja de datos:

SSM3J377R,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,181 €	1,81 €
	0,112 €	11,20 €
	0,082 €	41,00 €
	0,071 €	71,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,059 €	177,00 €
	0,054 €	324,00 €
	0,046 €	414,00 €
	0,044 €	1.056,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23F-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	93 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	4.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	U-MOSVI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Transconductancia delantera: mín.:	2.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM3J377R
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	46.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	11 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.