U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 10.051En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 8.222En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 5.814En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel 7.774En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 24.9 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A 2.062En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 24.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A 4.782En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF 22.055En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 5.744En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 3.149En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 5.751En existencias
3.000Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A 17.994En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4.824En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 7.377En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5.675En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package 19.490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 4 Ohms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V 5.180En existencias
8.000Fecha prevista: 01/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF 2.818En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.4 A 154 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V 2.774En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 1.042En existencias
3.000Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 5.990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 89.6 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ 2.636En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 23 A 7.8 mOhms - 25 V, 20 V 800 mV 76 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package 4.211En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A 2.855En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 11.879En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS 9.999En existencias
48.000Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel