U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 49.519En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 80.669En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 18.996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5.662En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ 7.096En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 1 V 172 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ 17.316En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 8.612En existencias
5.000Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 4.916En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel 3.366En existencias
6.000Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 24.9 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package 4.215En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A 2.482En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 24.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A 3.255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 5.729En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 5.444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET 77En existencias
12.000Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package 3.490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 4 Ohms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF 785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 250 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V 1.260En existencias
12.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF 2.818En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.4 A 154 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V 2.844En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 3.091En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF 1.226En existencias
3.000Fecha prevista: 13/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC 2.958En existencias
24.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 311 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 12.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF 1.755En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel