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UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 19.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UF3SC065030B7S

Fabr. N.º:

UF3SC065030B7S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-7

Hoja de datos:

UF3SC065030B7S Hoja de datos

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	62 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6 V
Qg (carga de compuertas):	43 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	214 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns, 9 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC FETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	26 ns, 28 ns
Serie:	UF3SC
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo:	SiC FET
Tiempo típico de retraso de apagado:	46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	23 ns
Peso unitario:	4,675 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low R_DS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.