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UF3C065080B7S

Name: onsemi UF3C065080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065080B7S
Price: 10.48 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UF3C065080B7S

Fabr. N.º:

UF3C065080B7S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

Hoja de datos:

UF3C065080B7S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	10,48 €	10,48 €
	7,30 €	73,00 €
	6,28 €	628,00 €
	6,27 €	3.135,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	5,87 €	4.696,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	27 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	85 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6 V
Qg (carga de compuertas):	23 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	136.4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns, 6 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	8 ns, 7 ns
Serie:	UF3C
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 ns, 26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns, 30 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.