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UF3C065030B3

Name: onsemi UF3C065030B3
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065030B3
Price: 20.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UF3C065030B3

Fabr. N.º:

UF3C065030B3

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	65 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	51 nC
Temperatura operativa mínima:	- 25 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	242 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Serie:	UF3C
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	57 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32 ns
Peso unitario:	3 g

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Hoja de datos

UF3C065030B3 Hoja de datos

Models

SPICE Model/UF3C065030B3 (Texto)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.