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PBZTBR111B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR111B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR111B
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-PBZTBR111B

Fabr. N.º:

PBZTBR111B

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Zener 1000mW, 8V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

PBZTBR111B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,731 €	0,73 €
	0,447 €	4,47 €
	0,295 €	29,50 €
	0,231 €	115,50 €
	0,198 €	198,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,157 €	471,00 €
	0,149 €	894,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Zener
RoHS:
Vz - Tensión Zener :	11 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DO-214AA-2
Pd (disipación de potencia):	1 W
Ir: corriente de fuga inversa máxima:	10 uA
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Corriente de prueba:	20 mA
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Altura:	3.94 mm
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Longitud:	4.7 mm
Tipo de producto:	Zener Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Anchura:	2.45 mm
Corriente zener:	10 uA

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
ECCN:: EAR99

Diodos Zener PBZTBR1x

Los diodos Zener PBZTBR1x de ROHM Semiconductor ofrecen una alta fiabilidad y un tipo de molde de baja potencia con una estructura plana epitaxial de silicio. Estos diodos Zener ofrecen una disipación de potencia de 1000 mW y una temperatura de unión a 150°C. Los diodos Zener PBZTBR1x se almacenan dentro de un rango de temperatura de -55°C y 150°C. Estos diodos Zener están disponibles en el paquete DO-214AA(SMB). Los diodos Zener PBZTBR1x se utilizan en la regulación de tensión.