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NTBL075N065SC1

Name: onsemi NTBL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL075N065SC1
Price: 6.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBL075N065SC1

Fabr. N.º:

NTBL075N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC M2 650V SIC MOSFET 75MOHM

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NTBL075N065SC1 Hoja de datos (PDF)

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	3,21 €	6.420,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	37 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	85 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	59 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 170 C
Pd (disipación de potencia):	139 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Serie:	NTBL075N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns

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NTBL075N065SC1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).